Part Number: ESH1DM
25ns, 1A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
仕様書
| Category |
個別半導体 シリコン ダイオード 超高速整流素子 (trr 15...30ns) |
|---|---|
| Package | Micro SMA |
| trr (ns) | 25 |
| VRRM (V) | 200 |
| IF(AV) (A) | 1 |
| IFSM (A) | 15 |
| IR (µA) | 1 |
| VF (V) | 1.5 |
| Status | Active |
| AEC-Q | Yes |
| TJ Max. (°C) | 150 |
| Family | Ultra Fast |
| MSL | 1 |
データシート
| ESH1DM SERIES_C1602.pdf | Download |
リーソース
| Application Note | AN-1006:Power Diode Parameters and Characteristic Introduction |
|---|---|
| AN-1006_功率二极管参数及特性介绍 | |
| スパイスモデル | ESH1DM |
| 外形パッケージ | Micro SMA |
